型号:

DCP55-16-13

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:TRANS NPN BIPO DC GAIN SOT-223
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
DCP55-16-13 PDF
其它图纸 SOT-223 Package Top
SOT-223 Package Side 1
SOT-223 Package Side 2
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大 1W
频率 - 转换 200MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
包装 标准包装
产品目录页面 1575 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DCP55-16DIDKR
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